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主要用于制備族化合物半導體，高純合金，電子致冷元件，熱電轉換元件以及原子反應堆中液態(tài)冷卻載體等。
鉍（Bi） Bismuth
技術對接： 電解–區(qū)域熔煉
檢驗：ICP-MS；激光粒度分析儀，掃描電鏡。
服務：提供實用的防護措施，提供材料應用解決方案。
4、用途：
主要用于制備族化合物半導體，高純合金，電子致冷元件，熱電轉換元件以及原子反應堆中液態(tài)冷卻載體等。
5、包裝：滌綸薄膜包裝后塑料薄膜真空封裝。
1、物理性質：
原子量：208.98040
電負性：1.9
密度：9.78 g/cm3
熔點：271.50 ℃
沸點：1564 ℃
2、規(guī)格：
化學純度：
高純鉍：Bi-05 純度99.999%以上，銀，鋁，砷，金，鎘，鉻，銅，鐵，鎂，鎳，鉛，錫，鋅雜質總含量小于10ppm；
超純鉍：Bi-06 純度99.9999%以上，銀，鋁，砷，金，鎘，銅，鐵，鎂，鎳，鉛，鋅雜質總含量小于1ppm。
3、物理性狀：錠，粉，丸，粒，針狀等。
